Сегодня компания Toshiba сообщила о том, что ей удалось разработать новую технологию для создания NAND Flash памяти, которая позволяет достичь большей плотности расположения чипов и, как следствие, большей емкости модулей. Такое стало возможным благодая новой трехмерной структуре, в которую объединены массивы ячеек.

На представленных изображениях видны отличия новой технологии от предыдущих методов. Таким образом, при своевременном внедрении данной техологии в производство, можно ожидать появления флэш-носителей большей емкости уже в ближайшем будущем.

Оригинальный источник: здесь

Это сообщение создано Вторник, Июнь 12, 2007 в 23:06 в категорию Новости сотовой связи. Вы можете подписаться на сообщения RSS 2.0 Нет возможности оставить комментарий. Пинги не принимаются...