Компания Samsung объявила о начале производства первых в мире микросхем оперативной памяти DDR3 объемом 4 ГБ, выполненных по нормам 40-нм процесса. Данные модули будут отличаться не только большим объемом, но и обеспечивать повышение энергетической эффективности серверов и высокопроизводительных ноутбуков. О планах по производству данных модулей памяти компания впервые заявила в июле прошлого года. Новая, «зеленая память» обеспечит снижение энергопотребления до 35%, чего удалось добиться благодаря удвоению плотности.

В первую очередь 40-нм 4 ГБ DDR3 память предназначена для серверов, которые в настоящий момент имеют обычно по шесть разъемов для оперативной памяти, что соответствует максимальному объему в 96 ГБ. При этом модуль памяти DDR2 плотностью 1 Гбит, изготовленный по нормам 60 нм, потребляет 210 Вт, DDR3 плотностью 2 Гбит, изготовленными по нормам 40 нм, потребляет 55 Вт, а потребляемая мощность 4 ГБ DDR3 от Samsung равняется 36 Вт. Что составляет всего 17% от DDR2 на элементах плотностью 1 Гбит, изготовленных по нормам 60 нм.

Для пользователей ноутбуков внедрение новой памяти означает двукратное увеличение максимального объема оперативной памяти – для модуля SO-DIMM это означает до 8 ГБ. В ближайшее время компания Samsung планирует перевести на 40-нм процесс до 90% всей выпускаемой DDR памяти.

Источник: здесь

Это сообщение создано Среда, Февраль 24, 2010 в 20:02 в категорию Новости сотовой связи. Вы можете подписаться на сообщения RSS 2.0 Вы можете оставить комментарий или послать trackback на это сообщение.