При официальном представлении телефона iPhone 4 несколько удивительным было отсутствие модели с объемом памяти 64 ГБ, хотя соответствующий модуль был представлен компанией Toshiba еще в декабре минувшего года. Впрочем, нельзя исключать, что о телефонах и планшетах с 64 ГБ встроенной памяти мы еще услышим, а заодно и о моделях с вдвое большим объемом. Сегодня компания Toshiba официально представила модули NAND Flash емкостью 128 ГБ. Новые модули памяти, как сообщается, идеально подойдут для оснащения ими как мобильных телефонов и планшетов, так и других устройств, которым требуется большой объем при максимальной компактности.

Размеры 128 ГБ модулей памяти Toshiba составляют 17 x 22 x 1.4 мм и состоят из блоков эквивалентных 8 ГБ модулям NAND памяти производимой компанией по 32 нм техпроцессу. В этот же физический объем удалось поместить контроллер, который позволяет не только сократить число ошибок при работе памяти, но и сократить стоимость самого чипа. Как сообщается в пресс-релизе, новые модули памяти обеспечивают скорость чтения до 55 МБ/с и записи до 21 МБ/с. Аналогичные 128 ГБ модулям будут производиться и модели с меньшим объемом памяти (от 2 ГБ) и сниженной стоимостью.

В производство данные модули поступят в четвертом квартале текущего года, а значит первые устройства с их применением можно будет увидеть в начале 2011 года.

Источник: здесь

Это сообщение создано Четверг, Июнь 17, 2010 в 22:06 в категорию Новости сотовой связи. Вы можете подписаться на сообщения RSS 2.0 Вы можете оставить комментарий или послать trackback на это сообщение.