Toshiba на пути применения 45-нм техпроцесса
Корпорация Toshiba объявила о своем прорыве в визуализации движения электронов и примесей в полупроводниках, впервые позволяющей провести анализ пути распространения зарядов с точностью до 1 нанометра. Это достижение, основанное на сканирующей микоскопии сопротивления растекания (SSRM) – существенный шаг на пути к созданию чипов по техпроцессу 45нм и ниже. Компания Toshiba представит новую методику на Международном симпозиуме по физическим основам надежности (IRPS), который проводится в Аризоне, США
Сканирующая микроскопя сопротивления растекания (SSRM)– предпочтительная технология двумерного картографирования сопротивлений на перекрестных поверхностях, позволяющая анализировать распределение электронов и примесей. Высокая точность, необходимая для создания чипов поколения 45нм, требуется для анализа плотности электронов в канале и возможности контроля за примесями с точностью 1нм, так как даже незначительные различия в характеристиках могут привести к увеличению уровня токов утечки и риску короткого замыкания.
Технология SSRM использует сканирующий зонд для двумерной визуализации траектории заряда в полупроводниковых устройствах. Полученные изображения показывают вариации в сопротивлении, вызванные примесями, и позволяют произвести анализ путей распространения заряда. В то же время уровень точности и повторное воспроизводсто изображений высокого разрешения с помощью традиционной технологии SSRM лимитирован 5нм. Тому есть две причины. С одной стороны четкость изображения страдает из-за водяного пара, попадающего на образец из окружающей среды. С другой стороны сложно контролировать стабильный конткт между образцом и зондом. Для преодоления этих факторов, компания Toshiba установила оборудование SSRM в вакуумной камере и стабилизировала положение зонда. Это позволило создать оптимальные условия и поднять предел разрешения до 1нм - это максимально возможное на сегодняшний ден разрешение SSRM техники. Toshiba планирует использовать эту технологию для создания чипов по 45-нанометровому техпроцессу.
Оригинальный источник: здесь