Sandisk начинает серийное производство 43-нм NAND флэш-памяти
Корпорация SanDisk совместно с японской компанией Toshiba сегодня сообщили о запуске производства NAND памяти на базе технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level, MLC) по 43-нанометровому техпроцессу. Новый технологический процесс обеспечивает вдвое большую потность чипа по сравнению с 56-нм 16-гигабитным техпроцессом. Такой подход позволяет снизить стоимость кристалла, но при этом сохранить высокую производительность и надежность памяти. Корпорация SanDisk намерена начать поставки одночиповой MLC NAND флэш-памяти с самой высокой на сегодяшний день плотностью хранения информации в течение второго квартала 2008 года. Сначала компания планирует производить 16-гигабитные чипы, а во второй половине 2008 года – и 32-гигабитные чипы.
Компании SanDisk и Toshiba поделились своими технологическими достижениями и представили спецификации своей 43 нм 16-гигабитной NAND флэш-памяти на международной конференции по твердотельной памяти 2008 International Solid State Circuits Conference (ISSCC).
Стремясь укрепить лидирующие позиции в области конструирования и разработки передовых технологий производства NAND флэш-памяти, комания SanDisk начала перевод своего производства на фабрике Toshiba Yokkaichi Operations, рядом с Нагойей (Япония), на 43-нм техпроцесс. Компании SanDisk и Toshiba поровну делят полученную на фабрике продукцию; совместными усилиями они разработали множество новых технологий и решений в области MLC NAND. Изначально 43-нм флэш-память будет производиться на фабрике Fab 4, недавно запущенном совместном предприятии SanDisk и Toshiba по производству 300-мм кремниевых пластин. Во второй половине 2008 года ожидается переход на 43-нм техпроцесс и фабрики Fab 3.
Ожидается, что появление 43-нм NAND флэш-памяи, а также системные инновации и собственные технологии контроллеров памяти SanDisk будут способствовать развитию рынков твердотельных накопителей и управляемой NAND памяти, такой как iNAND, позволят увеличить емкость флэш-накопителей для быстро растущего рынка мобильных устройств, и помогут укрепить лидирующее положение компании в сегменте высокопроизводительных решений.
Оригинальный источник: здесь